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行業(yè)新聞

半導(dǎo)體封測前景分析
發(fā)布日期:2020-06-19 11:40 發(fā)布人:admin
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半導(dǎo)體封測前景分析

        盡管受到新冠疫情沖擊全球經(jīng)濟(jì)表現(xiàn),連帶影響電子終端產(chǎn)品銷售下滑,如智能手機(jī)、消費(fèi)性電子、車用電子等出貨量將出現(xiàn)衰退,進(jìn)而影響部分客戶對于半導(dǎo)體封測廠的下單情況,加上中國大陸半導(dǎo)體封測領(lǐng)域在中低階的價(jià)格戰(zhàn)仍未停,使得2020年中國臺灣半導(dǎo)體封裝及測試業(yè)景氣恐僅略較2019年略微上揚(yáng)。

      不過相較于全球市場的表現(xiàn),中國臺灣2020年本產(chǎn)業(yè)的景氣表現(xiàn)仍是相對頗佳,主要是受惠于當(dāng)?shù)匾咔榭刂频靡?,并未出現(xiàn)半導(dǎo)體封測廠及供應(yīng)鏈停工的現(xiàn)象,相對可接獲全球IDM廠的轉(zhuǎn)單,同時(shí)5G通訊帶動(dòng)網(wǎng)通、基站、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等5G高頻高速運(yùn)算需求商機(jī),加上疫情帶起加遠(yuǎn)距工作及遠(yuǎn)距教學(xué)興起,刺激NB、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等出貨量,此皆有助于臺系5G芯片測試、FPGA測試、筆電與網(wǎng)通設(shè)備等WiFi芯片及電源管理IC等測試接單;至于華為雖然受到美國實(shí)施更嚴(yán)格貿(mào)易限制,但除上半年華為早已大舉對臺系供應(yīng)鏈下單外,120天寬限期更是要求7納米、5納米先進(jìn)制程晶圓全力出貨,此亦有助于2020年第三季晶圓測試訂單維持于高檔。

      整體而言,2020年,中國臺灣半導(dǎo)體封裝及測試業(yè)者需留意美中科技戰(zhàn)的變化、中國大陸去美國化效應(yīng)的持久性、對岸本土廠商崛起速度、是否協(xié)同臺積電赴美設(shè)廠等課題;特別是臺積電赴美設(shè)廠方面,公司將帶包括半導(dǎo)體封測、設(shè)備、材料等供應(yīng)鏈一同去美國設(shè)廠,像是臺積電大聯(lián)盟的縮小版。臺積電小聯(lián)盟過去,仿照過去在臺灣成功運(yùn)作的模式,來美國臺積電的新廠創(chuàng)造群聚的效應(yīng),讓臺積電在亞利桑那州的新廠運(yùn)作成本與效率能達(dá)到較佳的狀況,其中預(yù)計(jì)中國臺灣部分半導(dǎo)體封測業(yè)者有機(jī)會(huì)將赴美國進(jìn)行投資。

      而對于以團(tuán)隊(duì)來因應(yīng),將可延伸中國臺灣半導(dǎo)體業(yè)的競爭優(yōu)勢至美國,不僅是鞏固美國的市場,而是要爭取更多美國客戶的訂單,但對于中國臺灣半導(dǎo)體在地化供應(yīng)鏈的強(qiáng)化程度,則是會(huì)存有稍為弱化的隱憂,畢竟需分散部分的資源到美國設(shè)廠,但不論如何,短期內(nèi)中國臺灣依舊是先進(jìn)制程、高階封測的半導(dǎo)體生產(chǎn)重鎮(zhèn)。

      至于在中國大陸半導(dǎo)體封測競爭方面,全球第一大龍頭廠商--日月光投控仍是有擁有相當(dāng)?shù)膬?yōu)勢,且2020年以來營運(yùn)績效將呈現(xiàn)成長態(tài)勢,主要是盡管受疫情沖擊,終端消費(fèi)性需求疲軟,然在5G通訊商轉(zhuǎn)、疫情衍生的數(shù)位經(jīng)濟(jì)商機(jī)挹注下,仍對于日月光投控業(yè)績表現(xiàn)有所支撐,更何況2020年3月中國大陸解除日月光與矽品結(jié)合的相關(guān)限制,綜效有機(jī)會(huì)逐漸彰顯。

     特別是日月光與矽品技術(shù)整合的效益將更為突出,兩者在2.5D Fanout、FC PoP、FC AiP等封裝更是領(lǐng)先中國大陸業(yè)者,以及異構(gòu)整合、系統(tǒng)級封裝等仍是由日月光投控在全球?qū)I(yè)封裝領(lǐng)域維持領(lǐng)先地位,如華為的后段封測訂單由日月光投控旗下矽品或日月光在中國臺灣封測廠拿下,中國大陸的通富微電以及江蘇長電科技封測量仍無法取代,特別是5G市場在2020年下半年逐漸恢復(fù)成長動(dòng)能,其尤其需要系統(tǒng)級封裝和扇出型(Fan-out)封裝,此將有利于日月光投控,以及日月光投控等在感測器、微機(jī)電元件封測業(yè)務(wù)深耕已久,其客制化、復(fù)雜度較高的封測需求,將是中國臺灣龍頭廠商接單的強(qiáng)項(xiàng)所在所致.

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